Punti salienti del prodotto
- Substrato: grafite isotropa di grado semiconduttore, ρ= 1,80 g cm³, ceneri ≤20 ppm, granulometria <5 µm.
- Strato CVD β-SiC: 50–200 µm, struttura 3-C, densità 3,2 g cm³, impurità metalliche ≤5 ppm (Na, K, Fe ciascuna <0,1 ppm).
- Finitura superficiale: Ra ≤0,3 µm come rivestito; lucidatura finale disponibile fino a ≤0,05 µm.
- Valutazione del ciclo termico: 190–250 corse tra 25 ℃ e 1.400 ℃ senza spallazione o perdita di peso >5%.
Vantaggi offerti dal percorso integrato di HAROG
• Controllo interno end-to-end
Purificazione, lavorazione meccanica di precisione, rivestimento CVD e metrologia eseguiti in un unico campus da 80.000 ㎡; elimina la varianza da lotto a lotto causata dal passaggio da più fornitori.
• Design proprietario del forno CVD
I reattori autocostruiti ospitano dispositivi jumbo (fino a 1,2 m di Ø) mantenendo un'uniformità di spessore di ±5 µm e un supporto con 'punto senza contatto', prevenendo difetti d'ombra e riducendo il conteggio delle particelle a valle di >30%.
• Camere bianche di classe 1.000/10.000
Rivestimento, ispezione e confezionamento eseguiti in flusso laminare; garantendo che le parti soddisfino i requisiti <10 particelle a 0,2 µm per passaggio wafer per linee epi da 300 mm.
• Suite completa di caratterizzazione
XRD, SEM/EDS, ICP-MS, impianto di shock termico e forno di ossidazione interni consentono la validazione completa di fase cristallina, stechiometria, densità, resistenza alla flessione (150 MPa) e durata allo shock termico (≥190 cicli) su ogni lotto; i certificati accompagnano ogni spedizione.
• Sfruttamento dei costi e dei tempi di consegna
L'integrazione verticale e la catena di fornitura locale riducono la consegna tipica di CVD-SiC di 12 settimane a 4-6 settimane e riducono il COO di circa il 25% rispetto alle fonti USA/UE, senza compromettere la purezza o la durata del ciclo.
Parametri tecnici
Scheda tecnica delle parti in grafite rivestita in SiC per elettrolisi dell'acqua di Harog
Parametro |
Unità |
Dati |
Struttura cristallina |
/ |
SiC 3-C |
Densità apparente |
g/cm³ |
3.2 |
Spessore del rivestimento |
µm |
Personalizzato |
Contenuto di impurità |
ppm |
≤5 |
Uniformità dello spessore |
µm |
±5 |
Rugosità |
µm |
≤3,0 |
Resistenza alla flessione |
MPa |
150 |
Modulo elastico |
GPa |
300 |
Cicli di shock termico |
correre |
190-250 |
Applicazioni collaudate sul campo
• Si epi: suscettore a 36 tasche per reattori da 300 mm: uniformità T del wafer ±1 nm a 1.150 ℃, che estende la durata del trasportatore epi a >200 µs.
• SiC epi: i supporti per wafer singoli e multipli resistono a 1.650 ℃, 100 mbar H₂ ambiente; 200 corse prima del rivestimento, corrispondenti alle lunghe tirature richieste dai produttori di dispositivi di potenza SiC da 200 mm.
• MOCVD (LED): i supporti planetari da 18 e 36 wafer mantengono la planarità delle tasche <10 µm, consentendo l'uniformità della lunghezza d'onda σ<1 nm per GaN ad alta luminosità.
• Impianto ionico e RTP: le aperture del fascio, gli anelli del bordo e i suscettori a rampa rapida sopravvivono a un carico istantaneo di 1 kW cm⁻² con un'erosione <0,5 µm ogni 100 h, dimezzando la generazione di particelle e la dose di metallo rispetto alla grafite nuda.
• Solare, aerospaziale e nucleare: riscaldatori, crogioli e supporti personalizzati beneficiano dell'aumento di peso dovuto all'ossidazione del rivestimento <1 mg cm² dopo 100 ore a 1.200 ℃ in aria.
Fondendo un rivestimento CVD-SiC ultrapuro con un nucleo in grafite lavorabile a macchina e ad alta conduttività e controllando ogni passaggio critico sotto lo stesso tetto, la tecnologia HAROG offre parti rivestite in SiC che prolungano i tempi di attività degli strumenti, restringono le finestre di processo e soddisfano i budget di contaminazione dei nodi inferiori a 3 nm, il tutto con tempi di consegna più brevi e costi inferiori.
