Vantaggio del prodotto
• Materie prime di proprietà propria di prima qualità
• Tecnologie proprietarie di rivestimento e purificazione
• Operazioni di lavorazione a spettro completo e misure complete di controllo della qualità
Parametri tecnici
Scheda tecnica della materia prima grafite per semiconduttori Harog
SKU |
Densità |
Resistività elettrica |
Resistenza alla flessione |
Resistenza alla compressione |
Durezza Shore |
Conducibilità termica |
CTE (RT~600℃） |
Porosità |
g/cm3 |
μΩ·m |
MPa |
MPa |
HSD |
W/(m·K) |
x10-6/℃ |
% |
HA09 |
1.91 |
9.9 |
46 |
105 |
61 |
123 |
4.6 |
10 |
HA11 |
1.86 |
9.3 |
38.3 |
75.5 |
44 |
128 |
4.4 |
10 |
HA12 |
1.93 |
9.9 |
56 |
110 |
64 |
137 |
5.7 |
8.7 |
HA13 |
1.79 |
12 |
26.1 |
64.8 |
42.9 |
117 |
4.2 |
12 |
HA13+ |
1.78 |
8.8 |
55 |
75 |
45 |
135 |
3.6 |
13 |
HA14 |
1.88 |
14 |
68.6 |
115.7 |
63.9 |
90 |
5 |
8.6 |
HA15 |
1.87 |
12.7 |
58 |
117 |
62 |
120 |
4.8 |
11 |
HA16 |
1.77 |
9.1 |
46 |
67 |
35.6 |
130 |
4.15 |
18 |
Caratteristiche del prodotto
- La purezza ultraelevata (≥99,999%) garantisce una contaminazione minima durante la crescita dei cristalli.
- La dimensione controllata delle particelle (1–5 µm) garantisce l'uniformità tra i lotti e una reologia stabile nei rivestimenti e nei riempitivi.
- La struttura cristallina a strati intrinseca offre un'eccellente conduttività elettrica (∼2×10⁴ S m⁻¹) e termica (∼100–120 W m⁻¹ K⁻¹) nel piano.
- La densità 2,09–2,23 g cm⁻³ e la durezza Mohs 1–2 consentono componenti leggeri e facili da lavorare con tolleranze dimensionali strette.
Vantaggi tecnici
- Il punto di fusione >3.650 °C e l'inerzia a HF, HNO₃ e alla maggior parte dei prodotti chimici del plasma garantiscono prestazioni affidabili in ambienti estremi di processo dei semiconduttori.
- Il basso coefficiente di dilatazione termica (<3×10⁻⁶ K⁻¹ a 20–200 °C) riduce al minimo la distorsione indotta termicamente nei dispositivi di litografia e epitassia.
- La microstruttura sintetica omogenea e isotropa elimina le impurità naturali della grafite, consentendo un contenuto di ceneri totali <5 ppm e una resistività elettrica costante per il riscaldamento del suscettore.
- La chimica superficiale personalizzabile (SiC, carbonio pirolitico o rivestimenti antiossidanti) prolunga la durata di servizio nelle camere CVD, di impianto ionico e di attacco.
Applicazioni specifiche
- Crescita dei cristalli: crogioli, riscaldatori e scudi termici per forni Czochralski (Si) e PVT (SiC).
- Epitassia e CVD: suscettori rivestiti in SiC che forniscono una distribuzione uniforme della temperatura per gli strati epi di Si e SiC.
- Plasma etch: elettrodi e anelli di elevata purezza che generano fronti di plasma stabili con ridotta generazione di particelle.
- Impianto ionico: aperture di grafite e componenti della linea di fascio che resistono all'erosione dello sputtering a tassi di dose elevati.
- Lavorazione dei wafer: vassoi e barche rigidi per la ricottura ad alta temperatura, garantendo un supporto del substrato senza deformazioni.
Questi attributi rendono la grafite di grado semiconduttore un materiale abilitante per nodi avanzati (≤5 nm), dispositivi di alimentazione e LED ad alta luminosità, dove il controllo della contaminazione, la precisione termica e la durata chimica sono fondamentali.
