Avantage du produit
• Matières premières appartenant à notre propre entreprise et de qualité supérieure
• Technologies exclusives de revêtement et de purification
• Opérations d'usinage à spectre complet et mesures de contrôle qualité complètes
Paramètres techniques
Fiche technique de la matière première graphite semi-conducteur de Harog
UGS |
Densité |
Résistivité électrique |
Résistance à la flexion |
Résistance à la compression |
Dureté Shore |
Conductivité thermique |
CTE (RT~600 ℃) |
Porosité |
g/cm3 |
μΩ·m |
MPa |
MPa |
HSD |
W/(m·K) |
x10-6/℃ |
% |
HA09 |
1.91 |
9.9 |
46 |
105 |
61 |
123 |
4.6 |
10 |
HA11 |
1.86 |
9.3 |
38.3 |
75.5 |
44 |
128 |
4.4 |
10 |
HA12 |
1.93 |
9.9 |
56 |
110 |
64 |
137 |
5.7 |
8.7 |
HA13 |
1.79 |
12 |
26.1 |
64.8 |
42.9 |
117 |
4.2 |
12 |
HA13+ |
1.78 |
8.8 |
55 |
75 |
45 |
135 |
3.6 |
13 |
HA14 |
1.88 |
14 |
68.6 |
115.7 |
63.9 |
90 |
5 |
8.6 |
HA15 |
1.87 |
12.7 |
58 |
117 |
62 |
120 |
4.8 |
11 |
HA16 |
1.77 |
9.1 |
46 |
67 |
35.6 |
130 |
4.15 |
18 |
Caractéristiques du produit
- L'ultra haute pureté (≥99,999 %) garantit une contamination minimale lors de la croissance cristalline.
- La taille des particules contrôlée (1 à 5 µm) garantit l'uniformité d'un lot à l'autre et une rhéologie stable dans les revêtements et les charges.
- La structure cristalline en couches intrinsèque offre une excellente conductivité électrique dans le plan (∼2×10⁴ S m⁻¹) et thermique (∼100–120 W m⁻¹ K⁻¹).
- La densité 2,09–2,23 g cm⁻³ et la dureté Mohs 1–2 permettent des composants légers et faciles à usiner avec des tolérances dimensionnelles serrées.
Avantages techniques
- Point de fusion >3 650 °C et inertie vis-à-vis du HF, du HNO₃ et de la plupart des produits chimiques plasmatiques garantissant des performances fiables dans les environnements extrêmes de processus de semi-conducteurs.
- Le faible coefficient de dilatation thermique (<3×10⁻⁶ K⁻¹ à 20-200 °C) minimise la distorsion induite thermiquement dans les montages de lithographie et d'épitaxie.
- La microstructure synthétique homogène et isotrope élimine les impuretés naturelles du graphite, permettant une teneur totale en cendres <5 ppm et une résistivité électrique constante pour le chauffage du suscepteur.
- La chimie de surface personnalisable (SiC, carbone pyrolytique ou revêtements anti-oxydation) prolonge la durée de vie dans les chambres de CVD, d'implant ionique et de gravure.
Applications spécifiques
- Croissance cristalline : creusets, réchauffeurs et écrans thermiques pour fours Czochralski (Si) et PVT (SiC).
- Epitaxie et CVD : suscepteurs recouverts de SiC offrant une répartition uniforme de la température pour les couches épi de Si et SiC.
- Gravure plasma : électrodes et anneaux de haute pureté générant des fronts de plasma stables avec une génération réduite de particules.
- Implantation ionique : ouvertures en graphite et composants de lignes de faisceau résistant à l'érosion par pulvérisation cathodique à des débits de dose élevés.
- Traitement des plaquettes : plateaux et nacelles rigides pour le recuit à haute température, garantissant un support du substrat sans déformation.
Ces attributs font du graphite de qualité semi-conducteur un matériau habilitant pour les nœuds avancés (≤5 nm), les dispositifs d'alimentation et les LED haute luminosité, où le contrôle de la contamination, la précision thermique et la durabilité chimique sont essentiels à la mission.
