Ürün Avantajı
• Üstün kalitede kendine ait hammaddeler
• Tescilli kaplama ve saflaştırma teknolojileri
• Tam spektrumlu işleme işlemleri ve kapsamlı kalite kontrol önlemleri
Teknik Parametreler
Harog'un Yarı İletken Grafit Hammaddesinin Veri Sayfası
Stok Kodu |
Yoğunluk |
Elektriksel Direnç |
Eğilme Dayanımı |
Basınç Dayanımı |
Shore Sertliği |
Isı İletkenliği |
CTE (RT~600°C) |
Gözeneklilik |
g/cm3 |
μΩ·m |
MPa |
MPa |
HSD |
W/(m·K) |
x10-6/°C |
% |
HA09 |
1.91 |
9.9 |
46 |
105 |
61 |
123 |
4.6 |
10 |
HA11 |
1.86 |
9.3 |
38.3 |
75.5 |
44 |
128 |
4.4 |
10 |
HA12 |
1.93 |
9.9 |
56 |
110 |
64 |
137 |
5.7 |
8.7 |
HA13 |
1.79 |
12 |
26.1 |
64.8 |
42.9 |
117 |
4.2 |
12 |
HA13+ |
1.78 |
8.8 |
55 |
75 |
45 |
135 |
3.6 |
13 |
HA14 |
1.88 |
14 |
68.6 |
115.7 |
63.9 |
90 |
5 |
8.6 |
HA15 |
1.87 |
12.7 |
58 |
117 |
62 |
120 |
4.8 |
11 |
HA16 |
1.77 |
9.1 |
46 |
67 |
35.6 |
130 |
4.15 |
18 |
Ürün Özellikleri
- Ultra yüksek saflık (≥99,999 %), kristal büyümesi sırasında minimum kirlenmeyi garanti eder.
- Kontrollü parçacık boyutu (1–5 µm), kaplamalar ve dolgularda partiden partiye homojenlik ve stabil reoloji sağlar.
- İçsel katmanlı kristal yapı, mükemmel düzlem içi elektrik (∼2×10⁴ S m⁻¹) ve termal iletkenlik (∼100–120 W m⁻¹ K⁻¹) sağlar.
- Yoğunluk 2,09–2,23 g cm⁻³ ve Mohs sertliği 1–2, sıkı boyut toleranslarına sahip hafif, işlenmesi kolay bileşenlere olanak tanır.
Teknik Avantajlar
- Erime noktası >3 650 °C ve HF, HNO₃ ve çoğu plazma kimyasına karşı inertlik, zorlu yarı iletken proses ortamlarında güvenilir performans sağlar.
- Düşük termal genleşme katsayısı (20–200 °C'de <3×10⁻⁶ K⁻¹), litografi ve epitaksi armatürlerinde termal olarak indüklenen distorsiyonu en aza indirir.
- Homojen, izotropik sentetik mikro yapı, doğal grafit yabancı maddelerini ortadan kaldırarak <5 ppm toplam kül içeriğine ve suseptör ısıtması için tutarlı elektrik direncine olanak tanır.
- Özelleştirilebilir yüzey kimyası (SiC, pirolitik karbon veya oksidasyon önleyici kaplamalar) CVD, iyon implantı ve dağlama odalarında servis ömrünü uzatır.
Özel Uygulamalar
- Kristal büyütme: Czochralski (Si) ve PVT (SiC) fırınları için potalar, ısıtıcılar ve ısı kalkanları.
- Epitaksi ve CVD: Si ve SiC epi katmanları için eşit sıcaklık dağılımı sağlayan SiC kaplı suseptörler.
- Plazma aşındırma: parçacık oluşumunu azaltan kararlı plazma cepheleri üreten yüksek saflıkta elektrotlar ve halkalar.
- İyon implantasyonu: Yüksek doz hızlarında püskürtme erozyonuna direnen grafit açıklıklar ve ışın hattı bileşenleri.
- Gofret işleme: Yüksek sıcaklıkta tavlama için sert tepsiler ve tekneler, eğrilmeden alt tabaka desteği sağlar.
Bu özellikler, yarı iletken sınıfı grafiti, kirlilik kontrolünün, termal hassasiyetin ve kimyasal dayanıklılığın kritik görev olduğu gelişmiş düğümler (≤5 nm), güç cihazları ve yüksek parlaklıktaki LED'ler için olanak sağlayan bir malzeme haline getirir.
