Produktvorteil
• Eigene Rohstoffe in Premiumqualität
• Proprietäre Beschichtungs- und Reinigungstechnologien
• Umfassende Bearbeitungsvorgänge und umfassende Qualitätskontrollmaßnahmen
Technische Parameter
Datenblatt des Halbleitergraphit-Rohmaterials von Harog
Artikelnummer |
Dichte |
Elektrischer Widerstand |
Biegefestigkeit |
Druckfestigkeit |
Shore-Härte |
Wärmeleitfähigkeit |
CTE (RT~600℃） |
Porosität |
g/cm3 |
μΩ·m |
MPa |
MPa |
HSD |
W/(m·K) |
x10-6/℃ |
% |
HA09 |
1.91 |
9.9 |
46 |
105 |
61 |
123 |
4.6 |
10 |
HA11 |
1.86 |
9.3 |
38.3 |
75.5 |
44 |
128 |
4.4 |
10 |
HA12 |
1.93 |
9.9 |
56 |
110 |
64 |
137 |
5.7 |
8.7 |
HA13 |
1.79 |
12 |
26.1 |
64.8 |
42.9 |
117 |
4.2 |
12 |
HA13+ |
1.78 |
8.8 |
55 |
75 |
45 |
135 |
3.6 |
13 |
HA14 |
1.88 |
14 |
68.6 |
115.7 |
63.9 |
90 |
5 |
8.6 |
HA15 |
1.87 |
12.7 |
58 |
117 |
62 |
120 |
4.8 |
11 |
HA16 |
1.77 |
9.1 |
46 |
67 |
35.6 |
130 |
4.15 |
18 |
Produktmerkmale
- Ultrahohe Reinheit (≥99,999 %) garantiert minimale Kontamination während des Kristallwachstums.
- Die kontrollierte Partikelgröße (1–5 µm) gewährleistet die Gleichmäßigkeit von Charge zu Charge und eine stabile Rheologie in Beschichtungen und Füllstoffen.
- Die intrinsische geschichtete Kristallstruktur liefert eine hervorragende elektrische (∼2×10⁴ S m⁻⊃1;) und thermische Leitfähigkeit (∼100–120 W m⁻⊃1; K⁻⊃1;) in der Ebene.
- Dichte 2,09–2,23 g cm⁻⊃3; und Mohs-Härte 1–2 ermöglichen leichte, einfach zu bearbeitende Bauteile mit engen Maßtoleranzen.
Technische Vorteile
- Schmelzpunkt >3.650 °C und Inertheit gegenüber HF, HNO₃ und den meisten Plasmachemikalien gewährleisten zuverlässige Leistung in extremen Halbleiterprozessumgebungen.
- Der niedrige Wärmeausdehnungskoeffizient (<3×10⁻⁶ K⁻⊃1; bei 20–200 °C) minimiert thermisch bedingte Verzerrungen in Lithographie- und Epitaxievorrichtungen.
- Die homogene, isotrope synthetische Mikrostruktur eliminiert natürliche Graphitverunreinigungen und ermöglicht einen Gesamtaschegehalt von <5 ppm und einen konstanten elektrischen Widerstand für die Suszeptorheizung.
- Maßgeschneiderte Oberflächenchemie – SiC, pyrolytischer Kohlenstoff oder Antioxidationsbeschichtungen – verlängert die Lebensdauer in CVD-, Ionenimplantations- und Ätzkammern.
Spezifische Anwendungen
- Kristallzüchtung: Tiegel, Heizgeräte und Hitzeschilde für Czochralski- (Si) und PVT- (SiC) Öfen.
- Epitaxie und CVD: SiC-beschichtete Suszeptoren sorgen für eine gleichmäßige Temperaturverteilung für Si- und SiC-Epischichten.
- Plasmaätzen: Hochreine Elektroden und Ringe erzeugen stabile Plasmafronten mit reduzierter Partikelbildung.
- Ionenimplantation: Graphitöffnungen und Strahlleitungskomponenten, die Sputtererosion bei hohen Dosisraten widerstehen.
- Waferverarbeitung: starre Tabletts und Boote zum Hochtemperaturglühen, die eine verzugsfreie Substratunterstützung gewährleisten.
Diese Eigenschaften machen Graphit in Halbleiterqualität zu einem geeigneten Material für fortschrittliche Knoten (≤5 nm), Leistungsgeräte und LEDs mit hoher Helligkeit, bei denen Kontaminationskontrolle, thermische Präzision und chemische Haltbarkeit von entscheidender Bedeutung sind.
