製品の利点
• 自社所有の最高品質の原材料
• 独自のコーティングおよび精製技術
• フルスペクトルの機械加工作業と包括的な品質管理対策
技術的パラメータ
ハログの半導体グラファイト原料のデータシート
SKU |
密度 |
電気抵抗率 |
曲げ強度 |
圧縮強度 |
ショア硬度 |
熱伝導率 |
CTE (室温～600℃） |
気孔率 |
g/cm3 |
μΩ・m |
MPa |
MPa |
HSD |
W/(m・K) |
×10-6/℃ |
% |
HA09 |
1.91 |
9.9 |
46 |
105 |
61 |
123 |
4.6 |
10 |
HA11 |
1.86 |
9.3 |
38.3 |
75.5 |
44 |
128 |
4.4 |
10 |
HA12 |
1.93 |
9.9 |
56 |
110 |
64 |
137 |
5.7 |
8.7 |
HA13 |
1.79 |
12 |
26.1 |
64.8 |
42.9 |
117 |
4.2 |
12 |
HA13+ |
1.78 |
8.8 |
55 |
75 |
45 |
135 |
3.6 |
13 |
HA14 |
1.88 |
14 |
68.6 |
115.7 |
63.9 |
90 |
5 |
8.6 |
HA15 |
1.87 |
12.7 |
58 |
117 |
62 |
120 |
4.8 |
11 |
HA16 |
1.77 |
9.1 |
46 |
67 |
35.6 |
130 |
4.15 |
18 |
製品の特徴
- 超高純度 (≥99.999 %) により、結晶成長中の汚染が最小限に抑えられます。
- 制御された粒子サイズ (1 ～ 5 µm) により、コーティングやフィラーのバッチ間の均一性と安定したレオロジーが保証されます。
- 固有の層状結晶構造により、優れた面内電気 (約 2×104 S m-⊃1;) および熱伝導率 (約 100-120 W m-⊃1; K-⊃1;) が実現します。
- 密度 2.09 ～ 2.23 g cm⁻⊃3;モース硬度 1 ～ 2 により、寸法公差が厳しく、軽量で機械加工が容易なコンポーネントが可能になります。
技術的な利点
- 融点 > 3 650 °C、HF、HNO₃、およびほとんどのプラズマ化学に対する不活性により、極端な半導体プロセス環境でも信頼性の高いパフォーマンスが保証されます。
- 低い熱膨張係数 (<3×10⁻⁶ K⁻⊃1; 20 ～ 200 °C で) により、リソグラフィーおよびエピタキシー フィクスチャの熱誘発歪みを最小限に抑えます。
- 均質で等方性の合成微細構造により、天然黒鉛不純物が除去され、総灰分含有量が 5 ppm 未満で、サセプタ加熱のための一貫した電気抵抗率が可能になります。
- カスタマイズ可能な表面化学 (SiC、熱分解炭素、または酸化防止コーティング) により、CVD、イオン注入、およびエッチング チャンバーでの耐用年数が延長されます。
特定の用途
- 結晶成長: チョクラルスキー (Si) および PVT (SiC) 炉用のるつぼ、ヒーター、熱シールド。
- エピタキシーおよび CVD: Si および SiC エピ層に均一な温度分布を提供する SiC コーティングされたサセプター。
- プラズマ エッチング: 高純度の電極とリングにより、粒子の発生が低減され、安定したプラズマ フロントが生成されます。
- イオン注入: 高線量率でのスパッタ侵食に耐えるグラファイト開口部とビームラインコンポーネント。
- ウェーハ処理: 高温アニーリング用の剛性トレイとボートにより、反りのない基板サポートが保証されます。
これらの特性により、半導体グレードのグラファイトは、汚染制御、熱精度、および化学的耐久性がミッションクリティカルである高度なノード (≤5 nm)、パワーデバイス、および高輝度 LED に使用できる材料となります。
