Ventaja del producto
• Materias primas propias de primera calidad.
• Tecnologías patentadas de recubrimiento y purificación
• Operaciones de mecanizado de espectro completo y medidas integrales de control de calidad
Parámetros técnicos
Hoja de datos de la materia prima de grafito semiconductor de Harog
SKU |
Densidad |
Resistividad eléctrica |
Resistencia a la flexión |
Fuerza compresiva |
Dureza Shore |
Conductividad térmica |
CTE (TA~600℃） |
Porosidad |
g/cm3 |
µΩ·m |
MPa |
MPa |
HSD |
W/(m·K) |
x10-6/℃ |
% |
HA09 |
1.91 |
9.9 |
46 |
105 |
61 |
123 |
4.6 |
10 |
HA11 |
1.86 |
9.3 |
38.3 |
75.5 |
44 |
128 |
4.4 |
10 |
HA12 |
1.93 |
9.9 |
56 |
110 |
64 |
137 |
5.7 |
8.7 |
HA13 |
1.79 |
12 |
26.1 |
64.8 |
42.9 |
117 |
4.2 |
12 |
HA13+ |
1.78 |
8.8 |
55 |
75 |
45 |
135 |
3.6 |
13 |
HA14 |
1.88 |
14 |
68.6 |
115.7 |
63.9 |
90 |
5 |
8.6 |
HA15 |
1.87 |
12.7 |
58 |
117 |
62 |
120 |
4.8 |
11 |
HA16 |
1.77 |
9.1 |
46 |
67 |
35.6 |
130 |
4.15 |
18 |
Características del producto
- La pureza ultraalta (≥99,999 %) garantiza una contaminación mínima durante el crecimiento de los cristales.
- El tamaño de partícula controlado (1–5 µm) garantiza uniformidad entre lotes y una reología estable en recubrimientos y rellenos.
- La estructura cristalina en capas intrínseca ofrece una excelente conductividad eléctrica en el plano (∼2×10⁴ S m⁻⊃1;) y térmica (∼100–120 W m⁻⊃1; K⁻⊃1;).
- Densidad 2,09–2,23 g cm⁻⊃3; y la dureza Mohs 1–2 permiten componentes livianos y fáciles de mecanizar con tolerancias dimensionales ajustadas.
Ventajas técnicas
- El punto de fusión >3 650 °C y la inercia al HF, HNO₃ y la mayoría de las químicas del plasma garantizan un rendimiento confiable en entornos extremos de procesos de semiconductores.
- El bajo coeficiente de expansión térmica (<3×10⁻⁶ K⁻⊃1; a 20–200 °C) minimiza la distorsión inducida térmicamente en accesorios de litografía y epitaxia.
- La microestructura sintética isotrópica y homogénea elimina las impurezas naturales del grafito, lo que permite un contenido total de cenizas de <5 ppm y una resistividad eléctrica constante para el calentamiento del susceptor.
- La química de superficie adaptable (SiC, carbón pirolítico o recubrimientos antioxidantes) extiende la vida útil en CVD, implantes de iones y cámaras de grabado.
Aplicaciones específicas
- Crecimiento de cristales: crisoles, calentadores y escudos térmicos para hornos Czochralski (Si) y PVT (SiC).
- Epitaxia y CVD: susceptores recubiertos de SiC que proporcionan una distribución uniforme de la temperatura para las capas epi de Si y SiC.
- Grabado con plasma: electrodos y anillos de alta pureza que generan frentes de plasma estables con generación reducida de partículas.
- Implantación de iones: aberturas de grafito y componentes de línea de haz que resisten la erosión por pulverización catódica a altas dosis.
- Procesamiento de obleas: bandejas y botes rígidos para recocido a alta temperatura, asegurando un soporte del sustrato sin deformaciones.
Estos atributos hacen del grafito de grado semiconductor un material habilitador para nodos avanzados (≤5 nm), dispositivos de energía y LED de alto brillo, donde el control de la contaminación, la precisión térmica y la durabilidad química son de misión crítica.
