Преимущество продукта
• Собственное сырье премиум-качества.
• Собственные технологии нанесения и очистки.
• Полный спектр операций обработки и комплексные меры контроля качества.
Технические параметры
Техническое описание полупроводникового графитового сырья компании Harog
Артикул |
Плотность |
Электрическое сопротивление |
изгибная прочность |
Прочность на сжатие |
Твердость по Шору |
Теплопроводность |
КТР (RT~600℃) |
Пористость |
г/см3 |
мкОм·м |
МПа |
МПа |
HSD |
Вт/(м·К) |
х10-6/℃ |
% |
HA09 |
1.91 |
9.9 |
46 |
105 |
61 |
123 |
4.6 |
10 |
HA11 |
1.86 |
9.3 |
38.3 |
75.5 |
44 |
128 |
4.4 |
10 |
HA12 |
1.93 |
9.9 |
56 |
110 |
64 |
137 |
5.7 |
8.7 |
HA13 |
1.79 |
12 |
26.1 |
64.8 |
42.9 |
117 |
4.2 |
12 |
НА13+ |
1.78 |
8.8 |
55 |
75 |
45 |
135 |
3.6 |
13 |
HA14 |
1.88 |
14 |
68.6 |
115.7 |
63.9 |
90 |
5 |
8.6 |
HA15 |
1.87 |
12.7 |
58 |
117 |
62 |
120 |
4.8 |
11 |
HA16 |
1.77 |
9.1 |
46 |
67 |
35.6 |
130 |
4.15 |
18 |
Особенности продукта
- Сверхвысокая чистота (≥99,999 %) гарантирует минимальное загрязнение во время роста кристаллов.
- Контролируемый размер частиц (1–5 мкм) обеспечивает однородность от партии к партии и стабильную реологию покрытий и наполнителей.
- Собственная слоистая кристаллическая структура обеспечивает превосходную электрическую (∼2×10⁴ См·м⁻¹) и теплопроводность (∼100–120 Вт·м⁻¹ К⁻¹) в плоскости.
- Плотность 2,09–2,23 г·см⁻³ и твердость по шкале Мооса 1–2 позволяют изготавливать легкие, простые в обработке детали с жесткими размерными допусками.
Технические преимущества
- Температура плавления >3650 °C и инертность к HF, HNO₃ и большинству плазменных химических веществ обеспечивают надежную работу в экстремальных условиях полупроводниковых процессов.
- Низкий коэффициент теплового расширения (<3×10⁻⁶ K⁻¹ при 20–200 °C) сводит к минимуму термические искажения в приспособлениях для литографии и эпитаксии.
- Гомогенная изотропная синтетическая микроструктура исключает примеси природного графита, обеспечивая общую зольность <5 частей на миллион и стабильное удельное электрическое сопротивление для нагрева токоприемника.
- Настраиваемый химический состав поверхности — карбид кремния, пироуглерод или антиокислительные покрытия — продлевает срок службы в камерах CVD, ионной имплантации и травления.
Конкретные приложения
- Выращивание кристаллов: тигли, нагреватели и теплозащитные экраны для печей Чохральского (Si) и PVT (SiC).
- Эпитаксия и CVD: токоприемники с покрытием SiC обеспечивают равномерное распределение температуры для эпи-слоев Si и SiC.
- Плазменное травление: электроды и кольца высокой чистоты, генерирующие стабильные плазменные фронты с уменьшенным образованием частиц.
- Ионная имплантация: графитовые апертуры и компоненты пучка, устойчивые к распылительной эрозии при высоких мощностях дозы.
- Обработка пластин: жесткие лотки и лодочки для высокотемпературного отжига, обеспечивающие поддержку подложки без коробления.
Эти свойства делают графит полупроводникового класса подходящим материалом для современных узлов (≤5 нм), силовых устройств и светодиодов высокой яркости, где контроль загрязнения, термическая точность и химическая стойкость имеют решающее значение.
