Основные характеристики продукта
- Подложка: изотропный графит полупроводникового качества, ρ= 1,80 г см³, зольность ≤20 ppm, размер зерен <5 мкм.
- CVD-слой β-SiC: 50–200 мкм, структура 3-C, плотность 3,2 г см³, металлические примеси ≤5 ppm (Na, K, Fe каждая <0,1 ppm).
- Чистота поверхности: Ra ≤0,3 мкм после покрытия; окончательная полировка возможна до размеров ≤0,05 мкм.
- Рейтинг термического цикла: 190–250 циклов работы при температуре от 25 ℃ до 1400 ℃ без растрескивания или потери веса > 5 %.
Преимущества интегрированного маршрута HAROG
• Сквозной внутренний контроль
Очистка, прецизионная механическая обработка, покрытие CVD и метрология выполняются в одном кампусе площадью 80 000 кв.м; устраняет расхождения между партиями, вызванные передачей продукции нескольким поставщикам.
• Собственная конструкция печи CVD
В самодельные реакторы можно устанавливать крупные приспособления (диаметром до 1,2 м), сохраняя при этом однородность толщины ±5 мкм, а также держатель «без точки контакта», предотвращающий теневые дефекты и снижающий количество частиц на выходе по потоку более чем на 30 %.
• Чистые помещения класса 1000/10 000.
Нанесение покрытий, проверка и упаковка выполняются в ламинарном потоке; гарантируя, что детали соответствуют требованиям <10 частиц размером 0,2 мкм на проход пластины для линий эпиляции 300 мм.
• Комплексный набор характеристик
Собственные рентгеновский анализ, SEM/EDS, ICP-MS, установка для термического удара и печь для окисления позволяют полностью проверить кристаллическую фазу, стехиометрию, плотность, прочность на изгиб (150 МПа) и срок службы при термическом ударе (≥190 циклов) для каждой партии; сертификаты сопровождают каждую поставку.
• Стоимость и время выполнения заказа
Вертикальная интеграция плюс местная цепочка поставок сокращают типичный 12-недельный срок поставки CVD-SiC до 4–6 недель и снижают COO примерно на 25 % по сравнению с источниками в США/ЕС без ущерба для чистоты или срока службы.
Технические параметры
Техническое описание деталей из графита с карбид-оксидом кремния, полученных методом водного электролиза
Параметр |
Единица |
Данные |
Кристаллическая структура |
/ |
3-C Карбид кремния |
Объемная плотность |
г/см³ |
3.2 |
Толщина покрытия |
мкм |
Индивидуальные |
Содержание примесей |
ppm |
≤5 |
Однородность толщины |
мкм |
±5 |
Шероховатость |
мкм |
≤3,0 |
Прочность на изгиб |
МПа |
150 |
Модуль упругости |
ГПа |
300 |
Циклы термического удара |
бегать |
190-250 |
Проверенные на практике приложения
• Si epi: токоприемник с 36 карманами для реакторов диаметром 300 мм — однородность T пластины ± 1 нм при 1150 ℃, что увеличивает срок службы носителей эпиграфического заряда до >200 мкс.
• SiC epi: одно- и многопластинные носители выдерживают температуру 1650 ℃ и давление окружающей среды 100 мбар H₂; 200 прогонов перед нанесением нового покрытия, что соответствует длинным прогонам, необходимым для заводов по производству силовых устройств диаметром 200 мм из карбида кремния.
• MOCVD (LED): планетарные держатели на 18 и 36 пластин поддерживают плоскостность кармана <10 мкм, обеспечивая однородность длины волны σ<1 нм для высокояркого GaN.
• Ионный имплантат и RTP: апертуры пучка, краевые кольца и быстронарастающие токоприемники выдерживают мгновенную нагрузку 1 кВт см⁻² с эрозией <0,5 мкм за 100 часов, сокращая образование частиц и дозу металла вдвое по сравнению с голым графитом.
• Солнечная, аэрокосмическая и ядерная промышленность: индивидуальные нагреватели, тигли и опоры для тиглей выигрывают от прироста веса покрытия в результате окисления <1 мг/см² после 100 часов при температуре 1200 ℃ на воздухе.
Сплавляя сверхчистую оболочку CVD-SiC с обрабатываемым графитовым сердечником с высокой проводимостью и контролируя каждый критический этап под одной крышей, HAROG Technology поставляет детали с SiC-покрытием, которые продлевают время безотказной работы инструмента, сокращают технологические окна и соответствуют бюджету загрязнения узлов менее 3 нм, и все это с более короткими сроками выполнения работ и более низкой стоимостью.
