Ürünün Öne Çıkan Noktaları
- Alt tabaka: yarı iletken dereceli izotropik grafit, ρ= 1,80 g cm³, kül ≤20 ppm, tane boyutu <5 µm.
- CVD β-SiC katmanı: 50–200 µm, 3-C yapısı, yoğunluk 3,2 g cm³, metalik safsızlıklar ≤5 ppm (Na, K, Fe'nin her biri <0,1 ppm).
- Yüzey kalitesi: Ra ≤0,3 µm kaplamalı olarak; ≤0,05 µm'ye kadar son cila mevcuttur.
- Termal döngü derecesi: 25°C ila 1.400°C arasında 190–250 çalışma, parçalanma veya > %5 ağırlık kaybı olmadan.
HAROG'un Entegre Rotasının Sağladığı Avantajlar
• Uçtan uca şirket içi kontrol
Saflaştırma, hassas işleme, CVD kaplama ve metroloji 80.000 metrekarelik tek bir kampüste gerçekleştirilir; çoklu satıcı devirlerinden kaynaklanan partiden partiye varyansı ortadan kaldırır.
• Tescilli CVD fırın tasarımı
Kendi kendine yapılan reaktörler, jumbo armatürleri (1,2 m Ø'ye kadar) barındırırken ±5 µm kalınlık tekdüzeliğini ve 'temassız nokta' tutucuyu korur, gölge kusurlarını önler ve aşağı yöndeki parçacık sayısını >%30 oranında azaltır.
• Sınıf 1.000/10.000 temiz odalar
Laminer akış altında gerçekleştirilen kaplama, inceleme ve paketleme; parçaların, 300 mm epi hatları için levha geçiş gereksinimi başına 0,2 µm'de <10 partikülü karşılamasını garanti eder.
• Kapsamlı karakterizasyon paketi
Şirket içi XRD, SEM/EDS, ICP-MS, termal şok donanımı ve oksidasyon fırını, her partide kristal fazın, stokiyometrinin, yoğunluğun, bükülme mukavemetinin (150 MPa) ve termal şok ömrünün (≥190 döngü) tam olarak doğrulanmasını sağlar; Her gönderiye sertifikalar eşlik eder.
• Maliyet ve teslim süresi avantajı
Dikey entegrasyon artı yerel tedarik zinciri, saflıktan veya döngü ömründen ödün vermeden, tipik 12 haftalık CVD-SiC teslimatını 4-6 haftaya düşürür ve COO'yu ABD/AB kaynaklarına kıyasla ~%25 azaltır.
Teknik Parametreler
Harog'un Su Elektrolizi SiC Kaplamalı Grafit Parçalarının Veri Sayfası
Parametre |
Birim |
Veri |
Kristal yapı |
/ |
3-C SiC |
Yığın yoğunluğu |
g/cm³ |
3.2 |
Kaplama kalınlığı |
μm |
Özelleştirilmiş |
Safsızlık içeriği |
ppm |
≤5 |
Kalınlık bütünlüğü |
μm |
±5 |
Pürüzlülük |
μm |
≤3,0 |
Eğilme mukavemeti |
MPa |
150 |
Elastik modül |
not ortalaması |
300 |
Termal şok döngüleri |
koşmak |
190-250 |
Sahada Kanıtlanmış Uygulamalar
• Si epi: 300 mm reaktörler için 36 cepli suseptör — levha T tekdüzeliği 1.150°C'de ±1 nm, epi taşıyıcı ömrünü >200 µs'ye uzatır.
• SiC epi: tekli ve çoklu levha taşıyıcıları 1.650°C'ye, 100 mbar H₂ ortam sıcaklığına dayanıklıdır; Yeniden kaplamadan önce 200 çalışma, 200 mm SiC güç cihazı fabrikalarının talep ettiği uzun çalışmalara karşılık gelir.
• MOCVD (LED): 18 ve 36 levhalı planeter tutucular, <10 µm cep düzlüğünü korur ve yüksek parlaklıkta GaN için σ<1 nm dalga boyu eşitliğini sağlar.
• İyon implantasyonu ve RTP: ışın açıklıkları, kenar halkaları ve hızlı rampalı suseptörler, 100 saatte <0,5 µm erozyonla 1 kW cm⁻² anlık yüke dayanır, parçacık oluşumunu ve metal dozunu çıplak grafite kıyasla yarı yarıya azaltır.
• Güneş, havacılık ve nükleer: özelleştirilmiş ısıtıcılar, potalar ve pota destekleri, havada 1.200°C'de 100 saat sonra kaplamanın <1 mg cm² oksidasyon ağırlık kazancından yararlanır.
HAROG Teknolojisi, ultra saf CVD-SiC kaplamayı işlenebilir, yüksek iletkenliğe sahip bir grafit çekirdekle birleştirerek ve her kritik adımı tek bir çatı altında kontrol ederek, takımın çalışma süresini uzatan, proses pencerelerini daraltan ve 3 nm'nin altındaki düğümlerin kirlenme bütçelerini karşılayan SiC kaplı parçalar sunar; bunların hepsini daha kısa teslim süreleri ve daha düşük maliyetle yapar.
