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Vantaggio del prodotto
• Materie prime di proprietà propria di prima qualità
• Tecnologie proprietarie di rivestimento e purificazione
• Operazioni di lavorazione a spettro completo e misure complete di controllo della qualità
Parametri tecnici
Scheda tecnica del vassoio di supporto in grafite di Harog per epitassia e ricottura
Applicazione |
Purezza della grafite |
Tolleranza |
CTE |
Capacità mensile |
Nota |
Epitassia del silicio |
≤1 ppm |
±0,005 mm |
4.2 |
500 set |
Produzione su disegno del cliente |
Epitassia LED |
≤1 ppm |
±0,005 mm |
4.0 |
1500 set |
Caratteristiche del prodotto
• Elevata purezza: progettato con grafite ad altissima purezza, che garantisce una contaminazione minima e condizioni ottimali di crescita dei cristalli.
• Stabilità termica: mostra un'eccezionale stabilità termica, mantenendo l'integrità strutturale a temperature elevate, cruciali per i processi di crescita dei cristalli.
• Superficie uniforme: presenta una superficie liscia e uniforme, che facilita la nucleazione e la crescita costante dei cristalli.
Vantaggi tecnici
• Conduttività superiore: l'elevata conduttività elettrica e termica supporta un efficiente trasferimento di energia, migliorando l'efficienza complessiva della crescita dei cristalli.
• Basso coefficiente di espansione: il basso coefficiente di espansione termica riduce al minimo la deformazione durante le fluttuazioni di temperatura, garantendo un controllo dimensionale preciso.
• Durabilità: eccezionale resistenza meccanica e resistenza all'usura, che garantisce affidabilità a lungo termine e riduce la necessità di frequenti sostituzioni del substrato.
Applicazioni
• Produzione di semiconduttori: utilizzata nella crescita epitassiale di materiali semiconduttori come il silicio e l'arseniuro di gallio, cruciali per la produzione di dispositivi elettronici ad alte prestazioni.
• Deposizione di film sottile: supporta i processi di deposizione di film sottile, fornendo una piattaforma stabile per la deposizione uniforme del materiale.
• Processi di ricottura: ideali per applicazioni di ricottura, in cui i materiali devono essere riscaldati e raffreddati in un ambiente controllato per ottenere le proprietà desiderate.
I vassoi di supporto in grafite di Harog Technology sono progettati per soddisfare i severi requisiti dei processi di epitassia e ricottura, offrendo una soluzione affidabile e ad alte prestazioni per la produzione di semiconduttori e film sottile.