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SiC コーティングされたグラファイト部品をコーティングに亀裂を生じさせることなく取り扱い、洗浄し、ウェハの汚染を防ぎ、部品の寿命を最大限に延ばす方法を学びます。

基板のガス放出によってウェーハの歩留まりが損なわれないようにしてください。 CVD およびエピタキシーにおける SiC コーティングの接着に高純度グラファイトが重要である理由を発見してください。

半導体工場におけるSiCコーティングされたグラファイトの層間剥離を阻止します。根本原因、CTE 不一致の修正、高収量調達のヒントを学びます。

半導体工場における粒子欠陥を阻止します。 Ra が失敗する理由と、Rz 粗さが SiC コーティングされたグラファイト部品の剥離やトラッピングをどのように防止するかをご覧ください。

ウェーハの損失を防ぐ: SiC コーティングの厚さ (50 ～ 120 µm)、±10% の均一性、CTE の一致を確認して、層間剥離や汚染を防ぎます。