ข่าว

เรียนรู้วิธีจัดการและทำความสะอาดชิ้นส่วนกราไฟท์ที่เคลือบ SiC โดยไม่ทำให้สารเคลือบแตกร้าว ป้องกันการปนเปื้อนของแผ่นเวเฟอร์ และยืดอายุการใช้งานของส่วนประกอบให้สูงสุด

หยุดการแยกชั้นของกราไฟท์ที่เคลือบ SiC ในโรงงานเซมิคอนดักเตอร์ เรียนรู้สาเหตุที่แท้จริง การแก้ไขที่ไม่ตรงกันของ CTE และเคล็ดลับการจัดหาที่ให้ผลตอบแทนสูง

อย่าปล่อยให้สารตั้งต้นที่ปล่อยก๊าซออกมาทำลายผลผลิตเวเฟอร์ ค้นหาว่าเหตุใดกราไฟท์ที่มีความบริสุทธิ์สูงจึงมีความสำคัญอย่างยิ่งต่อการยึดเกาะของการเคลือบ SiC ใน CVD และเอพิแทกซี

หยุดข้อบกพร่องของอนุภาคในโรงงานเซมิคอนดักเตอร์ ดูว่าเหตุใด Ra จึงล้มเหลว และความหยาบของ Rz ป้องกันชิ้นส่วนกราไฟท์ที่เคลือบ SiC หลุดล่อนและหลุดล่อนได้อย่างไร

หยุดการสูญเสียเวเฟอร์: ตรวจสอบความหนาของการเคลือบ SiC (50–120 µm) ความสม่ำเสมอ ±10% และการจับคู่ CTE เพื่อหลีกเลี่ยงการหลุดร่อนและการปนเปื้อน

เรียนรู้การเลือกกราไฟท์เกรดเซมิคอนดักเตอร์ สำรวจความบริสุทธิ์ 5N การกดแบบคงที่ และการจับคู่ CTE เพื่อป้องกันการปนเปื้อนและเพิ่มผลผลิตเวเฟอร์

ค้นหาว่าเหตุใดกราไฟท์ไอโซสแตติกบริสุทธิ์พิเศษจึงมีความสำคัญสำหรับการผลิตเวเฟอร์ขนาดต่ำกว่า 3 นาโนเมตร เปรียบเทียบประเภท การใช้งาน และเกณฑ์ซัพพลายเออร์เพื่อความสำเร็จที่ให้ผลตอบแทนสูง

ปรับผลผลิตที่ต่ำกว่า 3 นาโนเมตรและ SiC ด้วยกราไฟท์เซมิคอนดักเตอร์ที่มีความบริสุทธิ์สูง เรียนรู้วิธีประเมินเกรดวัสดุ สารเคลือบ และความบริสุทธิ์สำหรับโรงงานของคุณ

ปรับผลผลิตเวเฟอร์ให้เหมาะสมด้วยกราไฟท์เซมิคอนดักเตอร์ที่มีความบริสุทธิ์สูง เปรียบเทียบเกรดไอโซโทรปิกกับเกรดอัดรีดสำหรับ CVD และเอพิแทกซี เพื่อเพิ่ม ROI และความเสถียร

เรียนรู้วิธีควบคุมอุณหภูมิถ้วยใส่ตัวอย่างกราไฟท์อย่างปลอดภัยเพื่อป้องกันการระเบิด คู่มือนี้ครอบคลุมถึงการกำจัดความชื้นและการบรรเทาความเครียดเพื่อยืดอายุการใช้งานของอุปกรณ์